ALD1103PBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
型号
ALD1103PBL
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
14-DIP (0.300", 7.62mm)
功率 - 最大
500mW
供应商器件封装
14-PDIP
场效应晶体管类型
2 N and 2 P-Channel Matched Pair
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
40mA, 16mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
75 Ohm @ 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 10µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10pF @ 5V
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