ALD110900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
型号
ALD110900PAL
制造商/品牌
系列
EPAD®, Zero Threshold™
零件状态
Active
包装
Tube
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
8-DIP (0.300", 7.62mm)
功率 - 最大
500mW
供应商器件封装
8-PDIP
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
500 Ohm @ 4V
Vgs(th)（最大值）@Id
20mV @ 1µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2.5pF @ 5V
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