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ALD110908SAL

ALD110908SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
型号
ALD110908SAL
制造商/品牌
系列
EPAD®
零件状态
Active
包装
Tube
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
500mW
供应商器件封装
8-SOIC
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12mA, 3mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
500 Ohm @ 4.8V
Vgs(th)(最大值)@Id
820mV @ 1µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2.5pF @ 5V
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