ALD212902SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
系列
EPAD®, Zero Threshold™
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80mA
Vgs(th)(最大值)@Id
20mV @ 10µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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