NESG7030M04-A
DISCRETE RF DIODE
型号
NESG7030M04-A
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-343F
功率 - 最大
125mW
供应商器件封装
M04
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30mA
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
4.3V
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
200 @ 5mA, 2V
频率 - 过渡
5.8GHz
噪声系数 (dB 典型值 @ f)
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
获得
14dB ~ 21dB
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