DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
型号
DMN1019UVT-7
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
功率耗散（最大）
1.73W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10.7A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
800mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50.4nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2588pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.2V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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