购买 Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 - 天凌箭

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ZXMN10B08E6TA

数据表

ZXMN10B08E6TA

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

型号

ZXMN10B08E6TA

制造商/品牌

Diodes Incorporated

系列

-

零件状态

Active

包装

Digi-Reel®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

SOT-23-6

供应商器件封装

SOT-26

功率耗散（最大）

1.1W (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

1.6A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

9.2nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

497pF @ 50V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

4.3V, 10V

电压 (最大值)

±20V

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