EPC2023
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
60A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 20mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2300pF @ 15V
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