EPC2029
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
48A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 12mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1410pF @ 40V
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