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EPC2030ENGRT
数据表

EPC2030ENGRT

MOSFET NCH 40V 31A DIE
型号
EPC2030ENGRT
制造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商器件封装
Die
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
31A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 16mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1900pF @ 20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V
电压 (最大值)
+6V, -4V
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