EPC2035
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 800µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
115pF @ 30V
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