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EPC2102ENG

EPC2102ENG

TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
型号
EPC2102ENG
制造商/品牌
系列
eGaN®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Tray
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
功率 - 最大
-
供应商器件封装
Die
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
23A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 7mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
830pF @ 30V
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