图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
产品详情请参阅规格.
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
型号
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Not For New Designs
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
350W
配置
Three Phase Inverter
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
3V @ 15V, 50A
输入电容 (Cies) @ Vce
3.3nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 38395 PCS
联系信息
相关产品
关键词 BSM50GD120DN2E3226BOSA1
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 电子元件
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 销售
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 供应商
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 分销商
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 数据表
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 图片
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 报价
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 提供
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 最低价格
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 搜索
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 购买
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 芯片
×
![]()