IRF9389PBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
型号
IRF9389PBF
制造商/品牌
系列
HEXFET®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Tube
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.8A, 4.6A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.3V @ 10µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
398pF @ 15V
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