IRFHE4250DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
型号
IRFHE4250DTRPBF
制造商/品牌
系列
FASTIRFET™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
32-PowerWFQFN
功率 - 最大
156W
供应商器件封装
32-PQFN (6x6)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
86A, 303A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.1V @ 35µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1735pF @ 13V
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