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IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL

MOSFET N-CH 200V 58A TO268
型号
IXFT58N20Q TRL
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装
TO-268 (IXFT)
功率耗散(最大)
300W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
58A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3600pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
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有货 35268 PCS
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