图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTQ80N28T

IXTQ80N28T

MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
型号
IXTQ80N28T
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
功率耗散(最大)
500W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
280V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
115nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5000pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 15839 PCS
联系信息
关键词 IXTQ80N28T
IXTQ80N28T 电子元件
IXTQ80N28T 销售
IXTQ80N28T 供应商
IXTQ80N28T 分销商
IXTQ80N28T 数据表
IXTQ80N28T 图片
IXTQ80N28T 报价
IXTQ80N28T 提供
IXTQ80N28T 最低价格
IXTQ80N28T 搜索
IXTQ80N28T 购买
IXTQ80N28T 芯片