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IXYN75N65C3D1

IXYN75N65C3D1

IGBT
型号
IXYN75N65C3D1
制造商/品牌
系列
XPT™, GenX3™
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
功率 - 最大
600W
供应商器件封装
SOT-227B
反向恢复时间 (trr)
65ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
650V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.3V @ 15V, 60A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
360A
转换能源
2mJ (on), 950µJ (off)
栅极电荷
122nC
Td(开/关)@25°C
26ns/93ns
测试条件
400V, 60A, 3 Ohm, 15V
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