SI2310-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
型号
SI2310-TP
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23
功率耗散（最大）
350mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
247pF @ 30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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