APT20M11JVR
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
型号
APT20M11JVR
制造商/品牌
系列
POWER MOS V®
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
ISOTOP®
功率耗散（最大）
700W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
175A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
21600pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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