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APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

IGBT 900V 72A 417W TO247
型号
APT25GP90BDQ1G
制造商/品牌
系列
POWER MOS 7®
零件状态
Not For New Designs
包装
Tube
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
功率 - 最大
417W
供应商器件封装
TO-247 [B]
反向恢复时间 (trr)
-
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
72A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
900V
IGBT类型
PT
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
3.9V @ 15V, 25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
110A
转换能源
370µJ (off)
栅极电荷
110nC
Td(开/关)@25°C
13ns/55ns
测试条件
600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
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