APT40SM120B
MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
型号
APT40SM120B
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
功率耗散（最大）
273W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
41A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 1mA (Typ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
130nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2560pF @ 1000V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
20V
电压 (最大值)
+25V, -10V
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