APT65GP60L2DQ2G
IGBT 600V 198A 833W TO264
型号
APT65GP60L2DQ2G
制造商/品牌
系列
POWER MOS 7®
零件状态
Not For New Designs
包装
Tube
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-264-3, TO-264AA
功率 - 最大
833W
供应商器件封装
-
反向恢复时间 (trr)
-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
198A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
600V
IGBT类型
PT
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.7V @ 15V, 65A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
250A
转换能源
605µJ (on), 895µJ (off)
栅极电荷
210nC
Td（开/关）@25°C
30ns/90ns
测试条件
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
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