购买 Microsemi Corporation APTCV50H60T3G IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 - 天凌箭

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APTCV50H60T3G

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

型号

APTCV50H60T3G

制造商/品牌

Microsemi Corporation

系列

-

零件状态

Active

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/箱体

SP3

功率 - 最大

176W

配置

Full Bridge

供应商器件封装

SP3

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

80A

电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）

600V

电流 - 集电极截止（最大值）

250µA

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

Vce(on)（最大值）@Vge，Ic

1.9V @ 15V, 50A

输入电容 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

输入

Standard

NTC热敏电阻

Yes

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