PMN38EN,165
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
型号
PMN38EN,165
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-74, SOT-457
供应商器件封装
6-TSOP
功率耗散（最大）
1.75W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.4A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
38 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
495pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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