PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
型号
PSMN8R5-108ESQ
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
功率耗散（最大）
263W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
108V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100A (Tj)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
111nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5512pF @ 50V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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