FDS6930B
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
型号
FDS6930B
制造商/品牌
系列
PowerTrench®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
900mW
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.5A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
38 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
412pF @ 15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 25806 PCS
联系信息
相关产品
关键词 FDS6930B
FDS6930B 电子元件
FDS6930B 销售
FDS6930B 供应商
FDS6930B 分销商
FDS6930B 数据表
FDS6930B 图片
FDS6930B 报价
FDS6930B 提供
FDS6930B 最低价格
FDS6930B 搜索
FDS6930B 购买
FDS6930B 芯片
×
![]()