购买 ON Semiconductor MMBFJ108 JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 - 天凌箭

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MMBFJ108

数据表

MMBFJ108

JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

型号

MMBFJ108

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

-

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

功率 - 最大

350mW

供应商器件封装

SuperSOT-3

场效应晶体管类型

N-Channel

漏源电压 (Vdss)

-

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

-

击穿电压 (V(BR)GSS)

25V

电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

最大电流消耗 (Id)

-

电压 - 截止 (VGS 关闭) @ Id

3V @ 10nA

电阻——RDS(On)

8 Ohms

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