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NVD5865NLT4G
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NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
型号
NVD5865NLT4G
制造商/品牌
ON Semiconductor
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
DPAK
功率耗散（最大）
3.1W (Ta), 71W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400pF @ 25V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
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