购买 Renesas Electronics America 2SK1859-E MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P - 天凌箭

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2SK1859-E

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2SK1859-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

型号

2SK1859-E

制造商/品牌

Renesas Electronics America

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P

功率耗散（最大）

60W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

900V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

6A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

3 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

-

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

-

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

980pF @ 10V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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