R6004JND3TL1
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
型号
R6004JND3TL1
制造商/品牌
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252
功率耗散（最大）
60W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th)（最大值）@Id
7V @ 450µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.5nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
260pF @ 100V
电压 (最大值)
±30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
15V
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