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TSM4N70CI C0G

TSM4N70CI C0G

MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220
型号
TSM4N70CI C0G
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件封装
ITO-220
功率耗散(最大)
56W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
700V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.5A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
595pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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