TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
型号
TSM6502CR RLG
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
功率 - 最大
40W
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
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