TSM9ND50CI
500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
型号
TSM9ND50CI
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件封装
ITO-220
功率耗散（最大）
50W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1116pF @ 50V
电压 (最大值)
±30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
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