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CSD25310Q2T
20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
型号
CSD25310Q2T
制造商/品牌
系列
NexFET™
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-WSON (2x2)
功率耗散（最大）
2.9W (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
23.9 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
655pF @ 10V
电压 (最大值)
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
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