TC58NYG2S0HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
型号
TC58NYG2S0HBAI6
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tray
技术
FLASH - NAND (SLC)
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
67-VFBGA
供应商器件封装
67-VFBGA (6.5x8)
电压 - 电源
1.7 V ~ 1.95 V
内存类型
Non-Volatile
内存大小
4Gb (512M x 8)
访问时间
25ns
时钟频率
-
内存格式
Flash
写入周期时间 - 字、页
25ns
内存接口
Parallel
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 8199 PCS
联系信息
相关产品
关键词 TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6 电子元件
TC58NYG2S0HBAI6 销售
TC58NYG2S0HBAI6 供应商
TC58NYG2S0HBAI6 分销商
TC58NYG2S0HBAI6 数据表
TC58NYG2S0HBAI6 图片
TC58NYG2S0HBAI6 报价
TC58NYG2S0HBAI6 提供
TC58NYG2S0HBAI6 最低价格
TC58NYG2S0HBAI6 搜索
TC58NYG2S0HBAI6 购买
TC58NYG2S0HBAI6 芯片
×
![]()