TPH3207WS
MOSFET N-CH 650V 50A TO247
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.65V @ 700µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
42nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2197pF @ 400V
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