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TPH3208LDG

TPH3208LDG

MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
型号
TPH3208LDG
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
3-PowerDFN
供应商器件封装
PQFN (8x8)
功率耗散(最大)
96W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.6V @ 300µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
760pF @ 400V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
8V
电压 (最大值)
±18V
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