SI1024X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
485mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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