SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
型号
SI5513CDC-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
功率 - 最大
3.1W
供应商器件封装
-
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A, 3.7A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
285pF @ 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 23148 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3 电子元件
SI5513CDC-T1-E3 销售
SI5513CDC-T1-E3 供应商
SI5513CDC-T1-E3 分销商
SI5513CDC-T1-E3 数据表
SI5513CDC-T1-E3 图片
SI5513CDC-T1-E3 报价
SI5513CDC-T1-E3 提供
SI5513CDC-T1-E3 最低价格
SI5513CDC-T1-E3 搜索
SI5513CDC-T1-E3 购买
SI5513CDC-T1-E3 芯片
×
![]()