SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.2A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.6V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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