SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
型号
SIB912DK-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SC-75-6L Dual
功率 - 最大
3.1W
供应商器件封装
PowerPAK® SC-75-6L Dual
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.5A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
95pF @ 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 32221 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SIB912DK-T1-GE3
SIB912DK-T1-GE3 电子元件
SIB912DK-T1-GE3 销售
SIB912DK-T1-GE3 供应商
SIB912DK-T1-GE3 分销商
SIB912DK-T1-GE3 数据表
SIB912DK-T1-GE3 图片
SIB912DK-T1-GE3 报价
SIB912DK-T1-GE3 提供
SIB912DK-T1-GE3 最低价格
SIB912DK-T1-GE3 搜索
SIB912DK-T1-GE3 购买
SIB912DK-T1-GE3 芯片
×
![]()