SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V
型号
SIDR680DP-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8DC
功率耗散（最大）
6.25W (Ta), 125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5150pF @ 40V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
7.5V, 10V
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