SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
型号
SIR492DP-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
功率耗散（最大）
4.2W (Ta), 36W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
110nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3720pF @ 6V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 23808 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SIR492DP-T1-GE3
SIR492DP-T1-GE3 电子元件
SIR492DP-T1-GE3 销售
SIR492DP-T1-GE3 供应商
SIR492DP-T1-GE3 分销商
SIR492DP-T1-GE3 数据表
SIR492DP-T1-GE3 图片
SIR492DP-T1-GE3 报价
SIR492DP-T1-GE3 提供
SIR492DP-T1-GE3 最低价格
SIR492DP-T1-GE3 搜索
SIR492DP-T1-GE3 购买
SIR492DP-T1-GE3 芯片
×
![]()