SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
型号
SISH434DN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8SH
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
功率耗散（最大）
3.8W (Ta), 52W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1530pF @ 20V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 13164 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3 电子元件
SISH434DN-T1-GE3 销售
SISH434DN-T1-GE3 供应商
SISH434DN-T1-GE3 分销商
SISH434DN-T1-GE3 数据表
SISH434DN-T1-GE3 图片
SISH434DN-T1-GE3 报价
SISH434DN-T1-GE3 提供
SISH434DN-T1-GE3 最低价格
SISH434DN-T1-GE3 搜索
SISH434DN-T1-GE3 购买
SISH434DN-T1-GE3 芯片
×
![]()