SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
型号
SIZ328DT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
供应商器件封装
8-Power33 (3x3)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
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