SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
型号
SQM120N10-3M8_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
TO-263 (D²Pak)
功率耗散（最大）
375W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
190nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7230pF @ 25V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 18373 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SQM120N10-3M8_GE3
SQM120N10-3M8_GE3 电子元件
SQM120N10-3M8_GE3 销售
SQM120N10-3M8_GE3 供应商
SQM120N10-3M8_GE3 分销商
SQM120N10-3M8_GE3 数据表
SQM120N10-3M8_GE3 图片
SQM120N10-3M8_GE3 报价
SQM120N10-3M8_GE3 提供
SQM120N10-3M8_GE3 最低价格
SQM120N10-3M8_GE3 搜索
SQM120N10-3M8_GE3 购买
SQM120N10-3M8_GE3 芯片
×
![]()