AON5802BL
MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
封装/箱体
6-VFDFN Exposed Pad
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
7.2A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
19 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1150pF @ 15V
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