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CDM2206-800LR SL

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CDM2206-800LR SL

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

型号

CDM2206-800LR SL

制造商/品牌

Central Semiconductor Corp

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

功率耗散（最大）

110W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

800V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

950 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

24.3nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

-

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

30V

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