CTLDM8120-M621H BK
MOSFET P-CH 20V DFN6
型号
CTLDM8120-M621H BK
制造商/品牌
零件状态
Last Time Buy
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-XFDFN Exposed Pad
供应商器件封装
TLM621H
功率耗散（最大）
1.6W (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
950mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.56nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
200pF @ 16V
电压 (最大值)
8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
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